Proceso de fabricación de 28nm


Según ha afirmado TSMC, uno de los mayores fabricantes de chips, el proceso de 28 nanómetros ya está listo, y tienen pruebas de ello, los primeros chips de memoria SRAM de 64 Mbits. Es un paso adelante en cuanto a la miniaturización de componentes y en particular hablamos de chips de memoria NAND que serán los primeros en beneficiarse de tal avance. Ello tendrá como consecuencia directa una mayor densidad de información ya que cada chip de memoria ocupará menos espacio que en la actualidad.

TSMC acaba de anunciar que ya tienen en funcionamiento líneas de fabricación en proceso de 28nm, y está preparada para pasar a fabricar distintos tipos de productos basaos en silicio. Al ser un proceso de fabricación Full Node también se podrán fabricar en un futuro procesadores con dicha tecnología.

TSMC anuncia la disponibilidad de fabricación en 28nm.

La compañía pretende producir chips de alto rendimiento, de alto rendimiento y bajo consumo y chips de bajo consumo haciendo uso de la tecnología High-K/Metal gate (HKMG) para los dos primeros y pretende comenzar a utilizar la nueva tecnología Silicon Oxynitride (SiON) para los chips de bajo consumo.

El puente SiON es un viejo conocido de TSMC y se postula como una opción económica y eficiente para producir chips de bajo consumo, al menos a día de hoy más económica que HKMG. Se espera que la nueva tecnología de 28nm para chips de bajo consumo consiga chips un 50% más rápidos que los actuales de 40nm y además reduzcan su consumo hasta la mitad. Ello añadido a que se puede conseguir una densidad de circuito de casi el doble. Este último punto se resume en que si se fabrican chips de memoria NAND se conseguiría prácticamente el doble de capacidad en el mismo espacio físico.

Qualcomm es la primera compañía que hará uso de la tecnología de 28nm SiON y sus primeros procesadores de bajo consumo llegarán para el tercer trimestre de 2010.

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