Intel Core i9 el mes que viene

El fabricante de chips Intel va a mostrar durante su conferencia para desarrolladores IDF en San Francisco, que tendrá lugar entre el 22 y el 24 de septiembre, su nuevo procesador Core i9 fabricado en 32 nm con arquitectura Westmere. Los procesadores Core i9, nombre en clave Gulftown, llegarán al mercado con sufijos 1000, siguiendo la tendencia de Core i3 3×0, Core i5 6×0-7×0, Core i7 8×0-9×0. La nueva gama de procesadores Gulftown llegará en modelos de 2, 4, 6 y 8 núcleos antes de fin de año.

Ahora toca informaros de que Intel ha asegurado que mostrará procesadores Gulftown durante su conferencia IDF 09 que tendrá lugar en San Francisco a finales de septiembre, con lo que la compañía da a entender que el desarrollo sigue su calendario y podrían llegar al mercado para el último trimestre de año, rozando finales de año.

Intel Core i9, 32nm, serán presentados en septiembre.

Los nuevos Core i9 harán uso de la plataforma LGA-1366 de los actuales Core i7 Nehalem y seguirán ofreciendo un controlador de memoria triple channel, 216-bit [64-bit +8-bit ECC por canal. Será procesadores fabricados en 32nm y tendrán 12 Mbytes de caché L3 pese a haber confirmado ciertos problemas térmicos con dicho proceso de fabricación, serán los más potentes del mercado doméstico. Dispondrán de tecnología HyperThreading que doblará virtualmente el número de hilos independientes de proceso, por tanto dos por núcleo.

Teniendo en cuenta que AMD va a lanzar al mercado su procesador Phenom II X6 en breve, será una nueva batalla por el mercado de los 6 núcleos físicos, aunque Core i9 de seis núcleos ofrece 12 hilos de proceso simultáneo. Os informaremos puntualmente el día 22 de septiembre cuando Intel haga su presentación en el IDF.

Proceso de fabricación de 28nm

Según ha afirmado TSMC, uno de los mayores fabricantes de chips, el proceso de 28 nanómetros ya está listo, y tienen pruebas de ello, los primeros chips de memoria SRAM de 64 Mbits. Es un paso adelante en cuanto a la miniaturización de componentes y en particular hablamos de chips de memoria NAND que serán los primeros en beneficiarse de tal avance. Ello tendrá como consecuencia directa una mayor densidad de información ya que cada chip de memoria ocupará menos espacio que en la actualidad.

TSMC acaba de anunciar que ya tienen en funcionamiento líneas de fabricación en proceso de 28nm, y está preparada para pasar a fabricar distintos tipos de productos basaos en silicio. Al ser un proceso de fabricación Full Node también se podrán fabricar en un futuro procesadores con dicha tecnología.

TSMC anuncia la disponibilidad de fabricación en 28nm.

La compañía pretende producir chips de alto rendimiento, de alto rendimiento y bajo consumo y chips de bajo consumo haciendo uso de la tecnología High-K/Metal gate (HKMG) para los dos primeros y pretende comenzar a utilizar la nueva tecnología Silicon Oxynitride (SiON) para los chips de bajo consumo.

El puente SiON es un viejo conocido de TSMC y se postula como una opción económica y eficiente para producir chips de bajo consumo, al menos a día de hoy más económica que HKMG. Se espera que la nueva tecnología de 28nm para chips de bajo consumo consiga chips un 50% más rápidos que los actuales de 40nm y además reduzcan su consumo hasta la mitad. Ello añadido a que se puede conseguir una densidad de circuito de casi el doble. Este último punto se resume en que si se fabrican chips de memoria NAND se conseguiría prácticamente el doble de capacidad en el mismo espacio físico.

Qualcomm es la primera compañía que hará uso de la tecnología de 28nm SiON y sus primeros procesadores de bajo consumo llegarán para el tercer trimestre de 2010.